Nexperia
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安世半導體將在漢堡投資2億美元 研發下一代寬禁帶半導體產品
近日消息,半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時,晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際,與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。
近日消息,半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時,晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際,與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。