EUV光刻機(jī)
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臺積電投資逾4000億新臺幣采購EUV光刻機(jī),未來兩年將接收超60臺
據(jù)臺灣《工商時報》報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺積電計劃在未來兩年(2024年至2025年)內(nèi)接收超過60臺極紫外(EUV)光刻機(jī),以滿足其日益增長的芯片制造需求。據(jù)估算,臺積電今…
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euv光刻機(jī)怎么研究出來的?一文讀懂發(fā)展歷程與技術(shù)挑戰(zhàn)
EUV光刻機(jī),這一代表著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域高精尖技術(shù)的設(shè)備,其研發(fā)歷程可謂歷盡艱辛,技術(shù)難度極高。從上世紀(jì)80年代開始,EUV光源的研發(fā)就吸引了全球科研人員的目光。當(dāng)時,科研人員致力于探索4nm至40nm的多個波長,力求找到最適合光刻技術(shù)的光源。與此同時,電子束光刻機(jī)、離子束光刻等技術(shù)也在同步研發(fā)中,各種技術(shù)路線競爭激烈。