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4nm至40nm的多個波長

  • euv光刻機怎么研究出來的?一文讀懂發展歷程與技術挑戰

    EUV光刻機,這一代表著半導體制造領域高精尖技術的設備,其研發歷程可謂歷盡艱辛,技術難度極高。從上世紀80年代開始,EUV光源的研發就吸引了全球科研人員的目光。當時,科研人員致力于探索4nm至40nm的多個波長,力求找到最適合光刻技術的光源。與此同時,電子束光刻機、離子束光刻等技術也在同步研發中,各種技術路線競爭激烈。

    2024年6月20日
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