近日消息，半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會增加。此項投資是在該工廠成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟(jì)部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。