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三星芯片封裝專(zhuān)家離職 曾在臺(tái)積電效力近二十年

1月2日,據(jù)報(bào)道,三星電子的半導(dǎo)體部門(mén)一位曾在臺(tái)積電工作近二十年、兩年前加入三星的關(guān)鍵芯片專(zhuān)家離職。Jing-Cheng Lin 已在領(lǐng)英上確認(rèn)了其從三星離職的消息,并表示其為期兩年的合同已經(jīng)到期。

三星芯片封裝專(zhuān)家離職   曾在臺(tái)積電效力近二十年

這位專(zhuān)家名為 Jing-Cheng Lin,曾于 1999 年至 2017 年在臺(tái)積電任職,2022 年加入三星半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室,擔(dān)任副總裁,主要負(fù)責(zé)芯片封裝技術(shù)研發(fā)。隨著摩爾定律逼近極限,封裝技術(shù)的進(jìn)步對(duì)下一代先進(jìn)芯片至關(guān)重要。三星自 2022 年起便大力投資,組建強(qiáng)大的先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì),而 Jing-Cheng Lin 的加入正是為了助力三星拓展封裝業(yè)務(wù)。

據(jù)了解,Jing-Cheng Lin 在三星期間,為 HBM4 內(nèi)存的封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)做出了重要貢獻(xiàn)。三星在 HBM3E 市場(chǎng)份額上落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,因此將重心放在了 HBM4 上,希望借此在人工智能浪潮中占據(jù)有利地位。HBM4 的成敗對(duì)三星至關(guān)重要。他還強(qiáng)調(diào)了自己在三星期間為先進(jìn)封裝技術(shù)做出的貢獻(xiàn),包括用于 3D IC 的混合銅鍵合技術(shù)以及 HBM-16H 的研發(fā)。

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