今日，半導體制造商SK海力士宣布了一項重大技術突破，公司成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的量產，這一里程碑式的成就不僅將HBM產品的最大容量提升至前所未有的36GB，還進一步鞏固了SK海力士在面向AI應用的存儲器市場的領導地位。
據官方消息，SK海力士通過創新的技術手段，成功將12顆3GB DRAM芯片堆疊至同一封裝內，而整體厚度卻保持與現有8層產品相當，實現了容量50%的顯著提升。這一壯舉的背后，是公司對DRAM芯片制造工藝的極致追求，每個芯片被制造得比以往薄了40%，同時采用先進的硅通孔（TSV）技術實現垂直堆疊，有效提升了空間利用率。
值得注意的是，SK海力士在追求更高容量的同時，也解決了堆疊更多變薄芯片所帶來的結構性挑戰。公司獨家應用的核心技術——先進MR-MUF工藝，不僅使新品的散熱性能較上一代提升了10%，還顯著增強了控制翹曲的能力，確保了產品的穩定性和可靠性，為AI應用的長期穩定運行提供了堅實保障。
自2013年首代HBM問世以來，SK海力士始終走在行業前沿，是迄今為止唯一一家開發并成功向市場供應全系列HBM產品的企業。此次12層HBM3E芯片的量產，不僅標志著公司在HBM技術領域的又一次飛躍，也充分滿足了人工智能領域對更高速度、更大容量和更強穩定性的迫切需求。
尤為值得一提的是，這款12層HBM3E芯片在性能上同樣表現出色，其運行速度高達9.6Gbps，在搭載四個HBM的GPU上運行大型語言模型如“Llama 3 70B”時，每秒能夠讀取35次高達700億個整體參數的數據，為AI模型的訓練和推理提供了強大的數據支持。
受此重大利好消息影響，SK海力士的股價在韓國市場應聲上漲，漲幅超過8%，公司總市值也隨之突破120.34萬億韓元（約合6351.55億元人民幣），充分展現了市場對于公司技術創新能力和市場前景的高度認可。
SK海力士表示，將繼續深耕HBM技術領域，不斷探索和創新，為全球AI產業的快速發展貢獻更多力量。隨著12層HBM3E芯片的量產與應用，一個全新的AI存儲時代正加速到來。
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