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三星再度回應英偉達HBM3E芯片報道:測試正在“按計劃”進行

三星對有關英偉達測試其高帶寬存儲芯片(HBM)的媒體報道再度做出了回應,表示測試正在“按計劃”進行。

三星對有關英偉達測試其高帶寬存儲芯片(HBM)的媒體報道再度做出了回應,表示測試正在“按計劃”進行。

三星再度回應英偉達HBM3E芯片報道:測試正在“按計劃”進行

三星的一名發言人通過電子郵件表示:“三星電子正在通過與各客戶的密切合作優化我們的產品,并按計劃進行測試。”

上周有報道稱,英偉達已批準三星的8層HBM3E芯片用于其人工智能處理器。但隨后三星回應稱,這和事實相距甚遠,“我們不能證實與我們客戶相關的傳聞,但這個報道不是真的”。

HBM是一種動態隨機存取存儲器(DRAM)標準,通過垂直堆疊芯片以節省空間和降低能耗,是人工智能GPU的關鍵組件,有助于處理復雜應用程序產生的大量數據。 HBM3是目前新一代人工智能GPU中最常用的第四代HBM技術標準,HBM3E芯片則使用第五代HBM標準。全球HBM芯片市場由SK海力士、三星主導,其次是美國芯片制造商美光科技(MU.US)。

上個月,英偉達首席執行官黃仁勛表示,該公司正在評估美光和三星的HBM芯片,以確定它們是否能與SK海力士競爭。

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