近日，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。
長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。
長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產品（Y2BM 系列），侵犯了長江存儲在美國提交的 11 項專利或專利申請。
2023 年 11 月，長江存儲就曾在美起訴美光專利侵權，涉 8 項專利；2024 年 6 月，長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。
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