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三星成立新的HBM團隊:推進HBM3E和HBM4開發工作

7月8日消息,據媒體報道,三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發團隊”,這一戰略舉措標志著三星在高性能內存(HBM)技術領域的雄心與決心邁入了一個新階段。

7月8日消息,據媒體報道,三星公司近期宣布成立全新的“HBM開發團隊”,這一戰略舉措標志著三星在高性能內存(HBM)技術領域的雄心與決心邁入了一個新階段。

三星成立新的HBM團隊:推進HBM3E和HBM4開發工作

該團隊將專注于前沿技術的研發,特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術,旨在顯著提升三星在全球HBM市場的競爭力和市場份額。

回顧過往,三星自2015年起便在DRAM部門內部深耕HBM技術的藍海,不僅設立了專項團隊,還成立了特別工作組,持續推動技術創新與突破。此次組織架構的升級,無疑是對過往努力的深化與加強,彰顯了三星對HBM技術未來發展的堅定信心。

為了加速搶占高附加值DRAM市場的制高點,三星展現出了驚人的研發速度與執行力。今年年初,三星便宣布成功研發出HBM3E 12H DRAM,并緊隨其后在四月實現了HBM3E 8H DRAM的量產,這一系列成就不僅體現了三星的技術實力,也為其在HBM領域的領先地位奠定了堅實基礎。

值得注意的是,三星與英偉達等行業巨頭的合作也在不斷深入。自去年起,三星便積極向英偉達提供HBM3E樣品進行嚴苛驗證,涵蓋8層與12層堆疊技術,雖歷經挑戰但進展顯著,預計將在今年第三季度末迎來部分驗證工作的圓滿完成,這一合作無疑將加速HBM技術在高端計算領域的普及與應用。

此外,三星還通過官方渠道分享了HBM產品的最新研發進展,并明確透露了HBM4技術的研發時間表,即計劃于2025年首次亮相。這一消息不僅引發了業界的廣泛關注,也進一步激發了市場對未來高性能計算、人工智能等領域技術革新的期待。

更有傳言指出,三星正考慮在HBM4中引入革命性的非導電粘合膜(NCF)組裝技術和混合鍵合(HCB)技術,以優化高溫環境下的熱特性,進一步提升產品的穩定性和可靠性,這將是對現有技術邊界的又一次勇敢探索。

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