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三星否認HBM內存芯片未通過英偉達測試

5月27日消息,關于三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片未能通過英偉達測試的傳聞引發了行業的熱議。一些“知情人士”聲稱,三星的芯片面臨發熱和功耗等問題。

5月27日消息,關于三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片未能通過英偉達測試的傳聞引發了行業的熱議。一些“知情人士”聲稱,三星的芯片面臨發熱和功耗等問題。

三星否認HBM內存芯片未通過英偉達測試

然而,韓國媒體Business Korea報道稱,三星電子已經發布聲明否認了這些報道。他們聲稱正在與多家全球合作伙伴一起進行順利的HBM芯片測試,并與其他商業伙伴合作,以確保產品質量和可靠性。

三星最近開始批量生產第五代HBM芯片,即24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E產品。與競爭對手SK海力士和美光不同的是,三星在這些HBM3E產品上仍然采用1a nm顆粒而非1b nm制程DRAM裸片,這導致其在能耗方面存在一定劣勢。加上此次負面報道的影響,一些分析師開始懷疑三星是否有能力迅速奪回來自SK海力士的市場份額。

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