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臺積電將獲美國至多 66 億美元直接補貼,于亞利桑那州建設第三座在美晶圓廠

臺積電方面將在亞利桑那州鳳凰城建設第三座在美晶圓廠,而美國政府方面將根據《芯片法案》向臺積電的三座工廠提供至多 66 億美元(約 477.84 億元人民幣)的直接資金補貼。

近日消息,據美國政府官方聲明,臺積電已與美國商務部達成不具束縛力的初步諒解備忘錄。

臺積電將獲美國至多 66 億美元直接補貼,于亞利桑那州建設第三座在美晶圓廠

臺積電方面將在亞利桑那州鳳凰城建設第三座在美晶圓廠,而美國政府方面將根據《芯片法案》向臺積電的三座工廠提供至多 66 億美元(約 477.84 億元人民幣)的直接資金補貼。

除直接補貼外,美國政府還計劃根據初步協議為臺積電的晶圓廠建設提供約 50 億美元(約 362 億元人民幣)的貸款。

臺積電也在準備向美國財政部申請相當于認證資本支出 25% 的投資稅收抵免。

臺積電方面承諾將在本十年底前建設第三座晶圓廠,進而在亞利桑那州打造一個前沿半導體集群。

臺積電在美的整體投資將超 650 億美元(約 4706 億元人民幣),可在十年間為亞利桑那州當地創造 6000 個直接工作崗位和數以萬計的間接崗位,此外還有累計超 20000 個的相關建筑業崗位。

美方還計劃將 5000 萬美元的《芯片法案》資金用于當地建筑和半導體行業勞動力的培訓和發展。

臺積電表示其第一座在美晶圓廠將提供 4nm FinFET 產能,目標 2025 年上半年啟動量產;而其第二座在美晶圓廠將在 3nm 工藝外再引入 2nm GAA 工藝;未來的第三座晶圓廠則將根據用戶需求提供 2nm 乃至更先進的制程。

此前英特爾也與美國商務部簽署了類似的諒解備忘錄,涉及至多 85 億美元直接補貼和 110 億美元貸款。

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