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三星Samsung在美國開設半導體存儲芯片研究實驗室

三星Samsung在美國開設半導體存儲芯片研究實驗室

據報道,全球存儲芯片市場的領頭羊三星電子Samsung,近日在美國硅谷開設了新的半導體芯片研究實驗室。這一舉措標志著三星Samsung在持續推動3D設備動態隨機存取存儲器技術上的決心。

新實驗室隸屬于三星電子Samsung的DSA(美國設備解決方案)部門,專注于研發下一代3D設備技術。據報道,三星正在開發3D DRAM技術,該技術能夠在單個芯片上提供高達100Gb的容量。這一技術的突破將極大地提升存儲容量,滿足不斷增長的數據存儲需求。

三星Samsung的3D DRAM技術采用了亞10納米制造技術,有望引領下一波內存產品革新。據韓聯社報道,新技術將帶來更高容量的存儲芯片,每個芯片的容量高達100Gb。

在全球存儲芯片市場經歷了一年的低迷后,三星此舉具有重大意義。去年,由于芯片市場低迷,三星的半導體部門出現了有史以來的首次虧損。然而,隨著人工智能技術的快速發展,以及OpenAI的ChatGPT等應用的推動,對內存芯片的需求正在不斷增長。專家預測,2024年將是內存芯片公司的好年景,三星正抓住這一機遇,加速推進3D DRAM技術的研發。

此外,三星Samsung已經開始在其產品中廣泛集成人工智能技術,以提升音頻和圖像質量。例如,最新的Neo QLED電視就具備了人工智能功能。

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