據報道，全球存儲芯片市場的領頭羊三星電子Samsung，近日在美國硅谷開設了新的半導體芯片研究實驗室。這一舉措標志著三星Samsung在持續推動3D設備動態隨機存取存儲器技術上的決心。
新實驗室隸屬于三星電子Samsung的DSA（美國設備解決方案）部門，專注于研發下一代3D設備技術。據報道，三星正在開發3D DRAM技術，該技術能夠在單個芯片上提供高達100Gb的容量。這一技術的突破將極大地提升存儲容量，滿足不斷增長的數據存儲需求。
三星Samsung的3D DRAM技術采用了亞10納米制造技術，有望引領下一波內存產品革新。據韓聯社報道，新技術將帶來更高容量的存儲芯片，每個芯片的容量高達100Gb。
在全球存儲芯片市場經歷了一年的低迷后，三星此舉具有重大意義。去年，由于芯片市場低迷，三星的半導體部門出現了有史以來的首次虧損。然而，隨著人工智能技術的快速發展，以及OpenAI的ChatGPT等應用的推動，對內存芯片的需求正在不斷增長。專家預測，2024年將是內存芯片公司的好年景，三星正抓住這一機遇，加速推進3D DRAM技術的研發。
此外，三星Samsung已經開始在其產品中廣泛集成人工智能技術，以提升音頻和圖像質量。例如，最新的Neo QLED電視就具備了人工智能功能。
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