英特爾Intel宣布，已實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn)，其中包括其突破性的3D封裝技術(shù)Foveros。這項(xiàng)技術(shù)是在英特爾最新完成升級(jí)的美國(guó)新墨西哥州Fab 9工廠投產(chǎn)的。
英特爾公司Intel執(zhí)行副總裁兼首席全球運(yùn)營(yíng)官Keyvan Esfarjani表示：“先進(jìn)封裝技術(shù)讓英特爾脫穎而出，幫助我們的客戶在芯片產(chǎn)品的性能、尺寸，以及設(shè)計(jì)應(yīng)用的靈活性方面獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”
隨著半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入異構(gòu)時(shí)代，英特爾Intel的Foveros和EMIB等先進(jìn)封裝技術(shù)成為行業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn)。這些技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝中集成一萬億個(gè)晶體管，并在2030年后繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
據(jù)了解，英特爾Intel的3D先進(jìn)封裝技術(shù)Foveros在處理器的制造過程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計(jì)算模塊。這種技術(shù)讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計(jì)算芯片，優(yōu)化成本和能效。英特爾計(jì)劃到2025年時(shí)，其3D Foveros封裝的產(chǎn)能將增加四倍。
這一進(jìn)展不僅可以在芯片產(chǎn)品的性能、尺寸以及設(shè)計(jì)應(yīng)用的靈活性方面獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，還將推動(dòng)英特爾Intel下一階段的先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言，這是一個(gè)重要的里程碑，預(yù)示著未來的發(fā)展前景。
隨著摩爾定律的不斷推進(jìn)，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。英特爾Intel的Foveros技術(shù)作為行業(yè)領(lǐng)先的3D封裝解決方案，將為未來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和變革。
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