據報道，蘋果Apple正在考慮在iPhone 16系列中升級其高容量閃存類型，從目前使用的TLC NAND閃存存儲轉向QLC NAND閃存存儲。這一變化可能會降低生產成本，但可能會對性能產生一定影響。
據了解，QLC NAND閃存具有更高的存儲密度，可以在每個內存單元中存儲四位數據，而不是三位。這使得QLC NAND閃存在使用相同數量的單元時可以存儲比TLC更多的容量，從而降低了生產成本。然而，由于每個單元多包含一位，因此QLC的寫入耐久性可能會降低。
對于消費者而言，這一變化可能會對1TB或更高容量的iPhone 16型號的數據寫入速度產生影響。然而，對于大多數用戶來說，這種差異可能不會太明顯。
目前尚不清楚蘋果是否會最終實施這一計劃。如果實施，預計將在未來的iPhone型號中看到這一變化。
總體而言，這一變化可能會對蘋果Apple的存儲成本產生積極影響，但可能會對性能產生一定影響。對于消費者來說，選擇使用哪種存儲類型將需要在成本和性能之間做出權衡。
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