據(jù)外媒報道，三星正研發(fā)一種新型存儲器LLW DRAM，它可以將高寬帶、低延遲、低功耗的特性結(jié)合到一起，未來它將出現(xiàn)在不同客戶端的工作負(fù)載中。
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
同時，LLW DRAM還有另一個重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星沒有告知該功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。
據(jù)了解，LLW DRAM在設(shè)計上可能會借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)將多個DRAM集成到一個封裝中。
目前三星已公布技術(shù)的預(yù)期性能細(xì)節(jié)，根據(jù)過往經(jīng)驗，這項技術(shù)或許已經(jīng)到開發(fā)階段的尾聲，讓我們拭目以待。
原創(chuàng)文章，作者：聆聽，如若轉(zhuǎn)載，請注明出處：http://www.bdzhitong.com/article/618641.html
