據海外媒體報道，蘋果M3 Ultra新品會在今年年中登場，該芯片是首次采用臺積電的N3E工藝節點。目前來看，已經上市的M3、M3 Pro和M3 Max等芯片采用臺積電N3B工藝，而A17 Pro則也是采用N3B工藝。
資料顯示，臺積電規劃了多達五種3nm工藝，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首個3nm節點，已經量產，N3E是N3B的增強版，但從臺積電已經披露的技術資料來看，柵極間距并不如N3B。
不僅如此，第一代3nm N3B成本高、良率低，只有70%-80%之間，這意味著芯片制造過程中有至少20%的產品存在缺陷，而N3E良率高、成本低，性能會略低于N3B。
業內人士指出，臺積電N3B的良率和金屬堆疊性能很差，基于這些原因，N3B不會成為臺積電的主要節點，相比之下，N3E將使用更少的EUV光刻層，從25層縮減到21層，投產難度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶體管密度會降低。
從以上來看，這可顆蘋果M3 Ultra芯片可能會成為蘋果史上最強的3nm芯片，它將在蘋果Mac Studio上搭載，讓我們敬請期待。
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