根據(jù)可靠爆料人 最新消息，英偉達 NVIDIA RTX 50 系列顯卡所采用的 GB200 系列 GPU 將采用臺積電 3nm 工藝。
英偉達當前的 NVIDIA RTX 40 顯卡采用“TSMC 4N”工藝，沒有說明具體是幾 nm 工藝，有報道稱是定制的 5nm 工藝。英偉達官方表示，在 TSMC 4N 定制工藝技術(shù)加持下，NVIDIA RTX 40 系列 GPU 實現(xiàn)了高達 2 倍的性能功耗比飛躍。
相比于 5nm 工藝，3nm 工藝在晶體管密度、功耗、性能等方面都有明顯的提升。根據(jù)臺積電的官方數(shù)據(jù)，3nm 工藝的晶體管密度是 5nm 工藝的 1.8 倍，功耗可降低 30%，性能可提升 10%。
除了新工藝外，消息稱 NVIDIA RTX 50 系列顯卡將采用 GDDR7 顯存，最高支持 384bit 位寬，接口包括 HDMI 和 DP 2.1，支持通過 PCIe 5.0 連接，供電采用改進版 12V-2×6 16pin 接口，發(fā)布時間可能是 2024 年底或 2025 年。
NVIDIA RTX 50 系列顯卡采用 3nm 工藝是意料之中的事情。隨著摩爾定律的逐漸放緩，晶體管工藝的進步是提升芯片性能和功耗效率的重要途徑。
GDDR7 顯存是新一代顯存標準，相比于 GDDR6 顯存，GDDR7 顯存的帶寬和效率都有明顯的提升。384bit 位寬的顯存可以為 NVIDIA RTX 50 系列顯卡提供充足的帶寬，滿足其強大的圖形處理需求。
PCIe 5.0 接口是新一代 PCIe 標準，相比于 PCIe 4.0 接口，PCIe 5.0 接口的帶寬是 PCIe 4.0 接口的兩倍。PCIe 5.0 接口可以為 NVIDIA RTX 50 系列顯卡提供更快的傳輸速度，滿足其高帶寬的需求。
12V-2×6 16pin 供電接口是新一代顯卡供電接口，相比于 12V-8pin 供電接口，12V-2×6 16pin 供電接口可以提供更高的供電功率。NVIDIA RTX 50 系列顯卡的功耗可能將超過 400W，因此需要更高功率的供電接口。
NVIDIA RTX 50 系列顯卡的發(fā)布時間尚未確定，但預計將在 2024 年底或 2025 年推出。NVIDIA RTX 50 系列顯卡將采用全新的 3nm 工藝、GDDR7 顯存、PCIe 5.0 接口等技術(shù)，性能和效率將有大幅提升。
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