三星在 2023 年內存技術日活動中推出了名為 Shinebolt 的 HBM3E 內存。該公司的 HBM3E 內存是當前 HBM3 內存的升級版，為內存帶寬和速度提供了新的基準。它旨在與用于服務器和高端計算的高端處理器和 GPU 一起使用。該公司還公布了有關GDDR7 VRAM、LPDDR5X CAMM 內存和可拆卸 AutoSSD 開發的更多信息。
三星的 HBM3E 內存據稱比美光和 SK 海力士的類似芯片更快
這家韓國公司的Shinebolt HBM3E DRAM 內存旨在用于數據中心的人工智能模型訓練和其他幾種高性能應用。它提供每個引腳 9.8Gbps 的數據傳輸速度，這意味著它可以達到高達 1.2TBps 的傳輸速率。三星優化了其 NCF（非導電膜）技術，消除了芯片層之間的間隙，從而提高了導熱性。
三星正在使用其第四代基于 EUV 的10 納米級 (14 納米) 節點制造其 24GBit HBM 內存芯片。利用其 8Hi 和 12Hi 堆棧，該公司可以生產 24GB 和 36GB 容量，比 HBM3 內存容量高 50%。該公司宣傳的最低帶寬為 8Gbps/pin，提供單個 HBM3E 堆棧，最低帶寬為 1TB/秒，最大帶寬為 1.225TB/秒，高于其競爭對手的 Micron 和 SK Hynix。
該公司的HBM3E內存目前正處于樣品階段，正在發送給客戶進行測試，這些內存芯片將于2024年某個時候開始量產。
三星公布有關 HBM4 內存開發的更多細節
三星還透露，將為 HBM4 內存采用更先進的芯片制造和封裝技術。雖然 HBM4 規范尚未獲得批準，但據透露，業界正在尋求使用更寬的（2,048 位）內存接口。該公司希望使用 FinFET 晶體管而不是平面晶體管來降低功耗。
這家韓國存儲芯片制造商希望在封裝方面從微凸塊接合轉向無凸塊（直接銅對銅）接合。即使在邏輯芯片制造領域，這項技術也相對較新，因此 HBM4 可能成本太高。
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