三星電子amsung披露了該公司在內存芯片方面的最新開發進展，并展現了三星對于存儲芯片密度極限和開發突破性材料的雄心。
三星電子存儲業務主管李政培（Lee Jung-Bae）稱，三星已生產出基于其第九代 V-NAND 閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。此外，該公司還正在開發行業內領先的 11nm 級 DRAM 芯片。
他表示，三星正在為 DRAM 開發 3D 堆疊結構和新材料；對于 NAND 閃存，三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。
他提到，“在即將到來的 10nm 以下 DRAM 和超過 1000 層的 V-NAND 芯片時代，新結構和新材料非常重要”。
當然，AI 芯片對三星電子來說也至關重要。該公司目前已經開始生產 HBM3 高性能內存芯片。此外，它還在開發下一代 HBM3E。
李政培說，三星希望為客戶生產“定制”的 HBM 芯片。“我們正專注于恰當地應對與超級規模 AI 等新應用相關的要求”，“我們將繼續推進內存芯片生產線，以克服多樣化的需求和長內存芯片的交付周期。”
三星電子將于 10 月 20 日在硅谷舉辦三星存儲器技術日 2023 活動，屆時這家韓國芯片制造商將推出一些最新的存儲器芯片技術和產品，
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