據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。
臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm 將在今年下半年量產(chǎn)，升級版 3nm（N3E）制程將于 3nm 量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即 2023 年量產(chǎn)，2nm 預(yù)計于 2025 年量產(chǎn)。
臺積電 2nm 廠將落地竹科寶山二期擴(kuò)建計劃，“竹科管理局”已展開公共設(shè)施建設(shè)，臺積電 2nm 廠也開始進(jìn)行整地作業(yè)。
臺積電 2nm 首次采用納米片架構(gòu)，相較 N3E 制程，在相同功耗下頻率可提升 10% 至 15%。在相同頻率下，功耗降低 25% 至 30%。
臺積電總裁魏哲家日前在技術(shù)論壇中強(qiáng)調(diào)，臺積電 2nm 將會是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。市場也看好，臺積電 2nm 進(jìn)度將領(lǐng)先對手三星及英特爾。
此前消息稱，雖然在 3nm 世代略有保守，但無論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經(jīng)接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸，所以外資法人預(yù)估臺積電 2nm 先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體 GAAFET 高端架構(gòu)生產(chǎn) 2nm 芯片。
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