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消息稱聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠

近日有市場消息稱,聯(lián)電計劃投資約229億元人民幣在新加坡建設第二座12英寸晶圓廠,月產能至少2萬~3萬片,可能生產40nm以下制程的芯片。

近日有市場消息稱,聯(lián)電計劃投資約229億元人民幣在新加坡建設第二座12英寸晶圓廠,月產能至少2萬~3萬片,可能生產40nm以下制程的芯片。

據報道,聯(lián)電對此回應稱,新加坡本來就有設廠,在全球有據點的地方持續(xù)評估建廠規(guī)劃,不過目前還沒有確切地點。

據了解,聯(lián)電新加坡廠 Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區(qū),于 2004 年開始量產,月產能為 5 萬片,制程為 0.13 微米至 40nm,產品涵蓋 FPGA、無線通訊芯片等。

業(yè)界人士認為,聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程,如 28nm 制程生產芯片。

據悉,晶圓代工產能持續(xù)供不應求,聯(lián)電 5 月 1 日、7 月 1 日代工報價已漲過兩波。

由于產能不足,聯(lián)電計劃擴充在臺南科學園區(qū) Fab 12A P6 廠區(qū)產能,將采用 28nm 制程,月產能 2.75 萬片,客戶將以議定價格預先支付訂金,預計新產能將于 2023 年第 2 季度開出。

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