在昨日的臺積電線上法說會上，臺積電總裁魏哲家指出，不評論競爭對手的技術藍圖，不過，相信臺積電持續(xù)擁有最具競爭力的技術乃至 2 納米技術，可以相信到 2025 年該技術的密度與效能將居領先。
魏哲家還指出，臺積電的 N3/N3E 技術仍會是最佳 PPA（Performance，Power，Area；效能、功耗及面積） 與最具競爭力的技術，并成為下一個長期成長動能的節(jié)點。
這跟三星此前公布的時間線相同。三星電子 10 月 7 日在晶圓代工論壇上表示，2025 年將開始量產 2 納米芯片，明年上半開始生產客戶設計的 3 納米芯片，第二代的 3 納米芯片則預期在 2023 年生產。三星表示，公司的 GAA 電晶體結構先進制程技術已經發(fā)展完備，明年可為客戶量產 3 納米芯片，2025 年量產 2 納米芯片。GAA 制程生產的 3 納米芯片與 5 納米相較，性能增強 30%，功耗減少 50%。
三星計劃量產第一代 3 納米芯片的時間大約也與臺積電計劃大批量生產這些芯片的時間相同。臺積電總裁魏哲家今年 6 月時表示，3 納米工藝將于 2022 年下半年開始量產。
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